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 Damage effects and mechanism of the GaN high electron mobility transistor caused by high electromagnetic pulse 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Yang Liu; Changchun Chai; Yu Xin-Hai; Fan Qingyang; Yang Yintang; et al 出版日期：2016-01-01 |
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