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 Full thermal characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon, silicon carbide, and diamond substrates using a reverse modeling approach 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Assaad El Helou; Yue Cui; Marko J. Tadjer; Travis J. Anderson; Daniel Francis; et al 出版日期：2020-11-09 |
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