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  Enhanced bias stress stability of a-InGaZnO thin film transistors by inserting an ultra-thin interfacial InGaZnO:N layer 通过插入超薄界面InGaZnO：N层增强a-InGaZnO薄膜晶体管的偏压稳定性
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaoming Huang; Changyan Wu; Hai Lu; Fangfang Ren; Dunjun Chen; et al 出版日期：2013-05-13 |
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