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 Improved lateral figure-of-merit of heteroepitaxial α-Ga2O3 power MOSFET using ferroelectric AlScN gate stack 铁电AlScN栅叠层异质外延α-Ga2O3功率MOSFET横向品质因数的改进
相关领域
铁电性
堆栈（抽象数据类型）
功勋
材料科学
MOSFET
光电子学
电气工程
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工程类
电介质
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期刊：Applied Physics Letters 作者：S. Y. Oh; Sisung Yoon; Yoojin Lim; Gyuhyung Lee; Geonwook Yoo 出版日期：2024-11-04 |
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