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Scalable Charge-Based Compact Model for Drain Current in Fin-Shaped GaN HEMTs 鳍状GaN HEMT漏极电流的可扩展电荷紧凑模型
相关领域
电容
鳍
晶体管
材料科学
光电子学
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电压
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电气工程
物理
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电极
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复合材料
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:M. P. Sruthi; Ajay Shanbhag; Deleep R. Nair; Anjan Chakravorty; Muhammad A. Alam; et al 出版日期:2023-02-02 |
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