Effects of ammonia and oxygen plasma treatment on interface traps in AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors

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标题	Effects of ammonia and oxygen plasma treatment on interface traps in AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors 相关领域材料科学 X射线光电子能谱分析化学（期刊）电介质半导体原子层沉积等离子体晶体管光电子学薄膜电压化学纳米技术核磁共振物理色谱法量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0172364
DOI	10.1063/5.0172364 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Shuqian Xu; Yu Zhou; X.Y. Zhang; Qian Li; Jianxun Liu; et al 出版日期：2023-11-13
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