标题 |
Alternated Trench-Gate IGBT for Low Loss and Suppressing Negative Gate Capacitance
低损耗抑制负栅电容的交流沟栅IGBT
相关领域
绝缘栅双极晶体管
材料科学
电磁干扰
门极关断晶闸管
电磁干扰
光电子学
电气工程
地面弹跳
负阻抗变换器
电压
电容
沟槽
逻辑门
晶体管
门驱动器
栅氧化层
工程类
物理
电压源
纳米技术
电极
量子力学
图层(电子)
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Wataru Saito; Shin Ichi Nishizawa 出版日期:2020-06-26 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|