Reduction in leakage current through interface between Ga2O3 epitaxial layer and substrate by ion implantation doping of compensating impurities

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标题	Reduction in leakage current through interface between Ga2O3 epitaxial layer and substrate by ion implantation doping of compensating impurities
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0029286
DOI	10.1063/5.0029286 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Sandeep Kumar; Takafumi Kamimura; Chia-Hung Lin; Yoshiaki Nakata; Masataka Higashiwaki 出版日期：2020-11-09
求助人	lby183191 在 2026-07-27 16:14:23 发布自福建，悬赏 10 积分
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