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AlGaN-Channel Gate Injection Transistor on Silicon Substrate With Adjustable 4–7-V Threshold Voltage and 1.3-kV Breakdown Voltage |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Li Zhang; Hong Zhou; Weihang Zhang; Kui Dang; Tao Zhang; et al 出版日期:2018-05-21 |
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