| 标题 |
Growth kinetics and boron doping of very high Ge content SiGe for source/drain engineering |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:J.M. Hartmann; F. Gonzatti; F. Fillot; T. Billon 出版日期:2008-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)