| 标题 |
  Numerical Simulations of Gate-Granularity- Induced Subthreshold Characteristics Deterioration of MOSFETs Magnified at Cryogenic Temperatures 栅极粒度引起的低温放大MOSFET亚阈值特性退化的数值模拟
相关领域
阈下传导
粒度
材料科学
MOSFET
逻辑门
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工程物理
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期刊：IEEE Access 作者：Kuo-Hsing Kao; Zhen-Jin Wang; Y.-C. Pai; Chin‐Chi Cheng; Darsen D. Lu; et al 出版日期：2024-01-01 |
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