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Surface and Electrical Properties of Inductively-coupledPlasma-etched N-face n-GaN and a Method of Reducing the OhmicContact Resistance of Plasma-damaged N-face n-GaN 电感耦合等离子体刻蚀n面n-GaN的表面和电学性质及降低等离子体损伤n面n-GaN欧姆接触电阻的方法
相关领域
材料科学
感应耦合等离子体
等离子体
面子(社会学概念)
光电子学
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物理
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期刊:Journal of the Korean Physical Society 作者:Tak Jeong; Hyun Haeng Lee; KangHo Kim; Seong‐Ran Jeon; Seung-Jae Lee; et al 出版日期:2009-09-15 |
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