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 Surface and Electrical Properties of Inductively-coupledPlasma-etched N-face n-GaN and a Method of Reducing the OhmicContact Resistance of Plasma-damaged N-face n-GaN 电感耦合等离子体刻蚀n面n-GaN的表面和电学性质及降低等离子体损伤n面n-GaN欧姆接触电阻的方法
相关领域
材料科学
感应耦合等离子体
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Tak Jeong; Hyun Haeng Lee; KangHo Kim; Seong‐Ran Jeon; Seung-Jae Lee; et al 出版日期：2009-09-15 |
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