Low Ferroelectric Switching Barriers and Stacking-Insensitive Electronic Structures in CrX2 (X = S, Se, Te) Bilayers Enabled by Weak Interlayer Coupling

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标题	Low Ferroelectric Switching Barriers and Stacking-Insensitive Electronic Structures in CrX2 (X = S, Se, Te) Bilayers Enabled by Weak Interlayer Coupling
网址	https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5c04939
DOI	10.1021/acs.jpcc.5c04939 doi
其它	期刊：The Journal of Physical Chemistry C 作者：Zhibo Yao; Yachao Liu; Tongxing Zheng; Jiang Liu; Wanli Jia; Vei Wang 出版日期：2025
求助人	大鸭梨在 2025-11-02 21:40:39 发布自河南，悬赏 10 积分
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