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GaN HEMT with p-Type Schottky Gate: A Case Study of TCAD Modeling of the Gate Leakage Current |
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期刊:Proceedings of SIE 2023 作者:Franco Ercolano; Andrea Natale Tallarico; Maurizio Millesimo; Elena Gnani; Susanna Reggiani; et al 出版日期:2024 |
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(2025-6-4)