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 Positively charged carbon vacancy defect as a near-infrared emitter in 4H-SiC 带正电的碳空位缺陷作为4 H-SiC近红外发射体
相关领域
空位缺陷
材料科学
声子
激发态
碳化硅
硅
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复合材料
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期刊：Physical Review Materials 作者：Meysam Mohseni; Péter Udvarhelyi; Gergő Thiering; Ádám Gali 出版日期：2023-09-08 |
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