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 Review of Material Properties of Oxide Semiconductor Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition for Next-Generation 3D Dynamic Random-Access Memory Devices 用于下一代三维动态随机存储器件的原子层沉积氧化物半导体薄膜材料性能研究进展
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期刊：Chemistry of Materials 作者：Ae Rim Choi; Dong Hyun Lim; So‐Yeon Shin; Hye Joo Kang; Dohee Kim; et al 出版日期：2024-02-26 |
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