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  The time-voltage trade-off for ESD damage threshold in amorphous silicon hydrogenated thin-film transistors 非晶硅氢化薄膜晶体管ESD损伤阈值的时间-电压权衡
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：N. Tošić Golo; S. van der Wal; F.G. Kuper; T. Mouthaan 出版日期：2001-09-01 |
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