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Comparative studies of GaN, n-GaN and n+-GaN contact layers on GaN/c-Al2O3 virtual substrates synthesized by PA MBE PAM MBE合成GaN/c-Al2O3虚拟衬底上GaN、n-GaN和n+-GaN接触层的比较研究
相关领域
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
纳米技术
图层(电子)
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期刊:Optical Materials 作者:П. В. Середин; D. L. Goloshchapov; Danila E. Kostomakha; Yaroslav A. Peshkov; Nikita Buylov; et al 出版日期:2024-05-06 |
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