Theoretical investigation of high-voltage superjunction GaN-based vertical hetero-junction field effect transistor with ununiformly doped buffer to suppress charge imbalance effect

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标题	Theoretical investigation of high-voltage superjunction GaN-based vertical hetero-junction field effect transistor with ununiformly doped buffer to suppress charge imbalance effect
网址	http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab2013
DOI	10.1088/1361-6641/ab2013 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Chao Zhu; Xingye Zhou; Zhihong Feng; Ziyu Zhao; Zhiheng Wei; et al 出版日期：2019-05-09
求助人	Irene 在 2026-11-04 11:09:43 发布自重庆，悬赏 10 积分
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