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 Interstitial filling induced local charge enhancement boosts the electron shielding efficiency of high-entropy alloys used to packaging hardening MOSFETs 间隙填充诱导的局部电荷增强提高了用于封装硬化MOSFET的高熵合金的电子屏蔽效率
相关领域
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期刊：Applied Materials Today 作者：Wenjing Wei; Hong Yang; Xin Jia; Xiaolei Shi; Kai Cui; et al 出版日期：2025-07-21 |
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