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标题
Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET and gated Hall bars formed on SiGe/Si(1 1 0) on the channel direction and the strained Si thickness
应变Si pMOSFET和形成在SiGe/Si（1 1 0）上的栅极霍尔棒中的空穴迁移率对沟道方向和应变Si厚度的依赖性
相关领域
电子迁移率 材料科学 异质结 薄脆饼 光电子学 各向异性 霍尔效应 应变硅 价带 半导体 硅 凝聚态物理 MOSFET 带隙 电阻率和电导率 晶体管 电气工程 光学 晶体硅 物理 电压 工程类 非晶硅
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126246
AI链接 sciencedirect.comdoi.org
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2021.126246 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Keisuke Arimoto; Taisuke Fujisawa; Daichi Namiuchi; Atsushi Onogawa; Yuichi Sano; et al
出版日期：2021-07-07
求助人
绵绵球 在 2025-08-29 13:24:01 发布，悬赏 10 积分
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