Advancing Ge epitaxy on Si (100) by using GeH4 with new generation UHV-CVD techniques

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标题	Advancing Ge epitaxy on Si (100) by using GeH4 with new generation UHV-CVD techniques
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110636
DOI	10.1016/j.mssp.2026.110636 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Zhengjie Wu; Huirong Zhou; Caile Wang; Fenghe Fu; Yue Li; et al 出版日期：2026-03-26
求助人	123 在 2026-09-28 15:17:13 发布自上海，悬赏 10 积分
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