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 A MIS-HEMT with PIN junction gate for enhanced threshold voltage and reduced gate leakage 相关领域
材料科学
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Xiao Wang; Xinglin Ren; Xinyu Wu; Ming-Hao Lai; Luping Xiao; et al 出版日期：2026-07-03 |
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