Modeling of high composition AlGaN channel high electron mobility transistors with large threshold voltage

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标题	Modeling of high composition AlGaN channel high electron mobility transistors with large threshold voltage 大阈值电压高成分AlGaN沟道高电子迁移率晶体管的建模
网址	https://doi.org/10.1063/1.4905323
DOI	10.1063/1.4905323 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Sanyam Bajaj; Ting-Hsiang Hung; Fatih Akyol; Digbijoy Nath; Siddharth Rajan 出版日期：2014-12-29
求助人	Even_YE 在 2025-12-09 09:07:00 发布自山西，悬赏 10 积分
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