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  Nitrogen Dopant Incorporation into Epitaxial 4H-SiC and the Influence of CVD Growth Parameters 外延4H-SiC中氮掺杂剂的掺入及CVD生长参数的影响
相关领域
材料科学
掺杂剂
外延
氮气
光电子学
兴奋剂
纳米技术
工程物理
图层（电子）
量子力学
物理
工程类
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期刊：Materials science forum 作者：Alex M. Schrader; Nils Steller; D.K. Reimann; Firas Faisal 出版日期：2025-09-05 |
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