Threshold Coupling AlGaN/GaN HEMT Incorporating a Composition-Modulated Barrier for High-Voltage and High-Linearity Application

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标题	Threshold Coupling AlGaN/GaN HEMT Incorporating a Composition-Modulated Barrier for High-Voltage and High-Linearity Application
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/16/11298301/11223267.pdf...
DOI	10.1109/ted.2025.3623095 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xiang Du; Minhan Mi; Pengfei Wang; Xinyue Zhang; Feiyang Chen; et al 出版日期：2025-11-01
求助人	晴天已寄出在 2026-03-17 17:25:34 发布自重庆，悬赏 30 积分
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