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 The Complementary FET (CFET) for CMOS scaling beyond N3 相关领域
可制造性设计
CMOS芯片
静态随机存取存储器
缩放比例
电子工程
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鳍
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期刊： 作者：Julien Ryckaert; P. Schuddinck; Pieter Weckx; G. Bouche; Benjamin Vincent; et al 出版日期：2018-06-01 |
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