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  Process implications on the stability and reliability of 300 mm FAB MoS2 field-effect transistors 相关领域
可靠性（半导体）
晶体管
理论（学习稳定性）
可靠性工程
领域（数学）
场效应晶体管
过程（计算）
材料科学
计算机科学
光电子学
工程类
电气工程
物理
数学
热力学
操作系统
纯数学
电压
功率（物理）
机器学习
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期刊：npj 2D Materials and Applications 作者：Yu. Yu. Illarionov; Alexander Karl; Quentin Smets; B. Kaczer; Theresia Knobloch; et al 出版日期：2024-02-02 |
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