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 Evolution of Crystal Quality and Stress in the Early Stages of GaN-on-Si (111) MOVPE with a Single AlN Buffer Layer 具有单AlN缓冲层的GaN-on-Si（111）MOVPE早期晶体质量和应力的演变
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期刊：Vacuum 作者：Cai Liu; Hassanet Sodabanlu; Masakazu Sugiyama; Yoshiaki Nakano 出版日期：2024-12-01 |
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