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 Comparative Investigation on the Repetitive Short-Circuit Capability of 100 V Commercial p-GaN Gate Power HEMTs With Different Processing and Structure 不同工艺和结构的100V商用p-GaN栅极功率HEMT重复短路能力的比较研究
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xiangdong Li; Meng Wang; Hongyue Wang; Jincheng Zhang; Shuzhen You; et al 出版日期：2024-02-20 |
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