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 Characterization, Analysis, and Modeling of Long-Term RF Reliability and Degradation of SiGe HBTs for High Power Density Applications 用于高功率密度应用的SiGe HBT的长期射频可靠性和退化的表征、分析和建模
相关领域
可靠性（半导体）
降级（电信）
材料科学
表征（材料科学）
可靠性工程
期限（时间）
光电子学
电子工程
功率（物理）
电气工程
工程类
物理
纳米技术
量子力学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Christoph Weimer; Gerhard G. Fischer; M. Schröter 出版日期：2023-12-15 |
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英俊的铭
在
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