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 Effective suppression of deep interface states and dielectric trapping in SiNx/GaN metal-insulator-semiconductor structures by a SiOxNy interfacial layer grown by plasma-enhanced atomic layer deposition 等离子体增强原子层沉积SiOxNy界面层对SiNx/GaN金属-绝缘体-半导体结构深界面态和电介质俘获的有效抑制
相关领域
材料科学
原子层沉积
电介质
化学气相沉积
深能级瞬态光谱
高-κ电介质
栅极电介质
图层（电子）
光电子学
晶体管
纳米技术
硅
电压
电气工程
工程类
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期刊：Applied Surface Science 作者：Kexin Deng; Xinhua Wang; Sen Huang; Qimeng Jiang; Haibo Yin; et al 出版日期：2022-09-01 |
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