| 标题 |
Hole Trapping Effect Induced by Total-Ionizing-Dose Radiation for 650-V p-GaN Gate HEMTs |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science 作者:Xin Zhou; Chang Wang; Huan Gao; Zhao Wang; Zhonghuai Wu; et al 出版日期:2026-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)