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 Achieving InGaN-Based Red Light-Emitting Diodes by Increasing the Growth Pressure of Quantum Wells 相关领域
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期刊：IEEE Photonics Technology Letters 作者：Kun Xing; Zhihu Xia; Guangxia Xie; Zhengwei Pan; Zhe Zhuang; et al 出版日期：2023-11-06 |
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