Accelerating the Recovery of p-Gate GaN HEMTs after Overvoltage Stresses

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标题	Accelerating the Recovery of p-Gate GaN HEMTs after Overvoltage Stresses 相关领域过电压材料科学高电子迁移率晶体管光电子学晶体管电压氮化镓电气工程电容器工程类纳米技术图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764463 AI链接 hku.hkdoi.org
DOI	10.1109/irps48227.2022.9764463 doi
其它	期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：Joseph P. Kozak; Qihao Song; Jingcun Liu; Ruizhe Zhang; Qiang Li; et al 出版日期：2022-03-01
求助人	ppboyindream 在 2026-01-17 14:10:47 发布自上海，悬赏 10 积分
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