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 High Threshold Voltage Stability Enhancement-Mode GaN p-FETs Fabricated With PEALD-AlN Gate Interfacial Layer 具有PEALD-AlN栅极界面层的高阈值电压稳定性增强型GaN P-FET
相关领域
材料科学
光电子学
阈值电压
原子层沉积
图层（电子）
宽禁带半导体
电压
氮化镓
晶体管
纳米技术
电气工程
工程类
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Liu Wang; Sen Huang; Qimeng Jiang; Xinhua Wang; Yingjie Wang; et al 出版日期：2024-01-16 |
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