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标题
High Threshold Voltage Stability Enhancement-Mode GaN p-FETs Fabricated With PEALD-AlN Gate Interfacial Layer
具有PEALD-AlN栅极界面层的高阈值电压稳定性增强型GaN P-FET
相关领域
材料科学 光电子学 阈值电压 原子层沉积 图层（电子） 宽禁带半导体 电压 氮化镓 晶体管 纳米技术 电气工程 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3354935
DOI
10.1109/led.2024.3354935 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Liu Wang; Sen Huang; Qimeng Jiang; Xinhua Wang; Yingjie Wang; et al
出版日期：2024-01-16
求助人
Leon 在 2025-12-04 13:08:23 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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