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 Effect of C- and Fe-doped GaN buffer on AlGaN/GaN high electron mobility transistor performance on GaN substrate using side-gate modulation C和Fe掺杂GaN缓冲液对GaN衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能的影响
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Maria Emma Villamin; Takaaki Kondo; N. Iwata 出版日期：2021-02-24 |
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