Increasing the hole energy by the p-type dual polarization for high internal quantum efficiency of 237 nm-band deep ultraviolet light-emitting diodes

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标题	Increasing the hole energy by the p-type dual polarization for high internal quantum efficiency of 237 nm-band deep ultraviolet light-emitting diodes 利用p型双偏振增加空穴能量提高237 nm波段深紫外发光二极管的内量子效率相关领域光电子学发光二极管量子效率紫外线二极管极化（电化学）光学材料科学物理化学物理化学
网址	https://doi.org/10.1117/1.oe.63.2.027103
DOI	10.1117/1.oe.63.2.027103 doi
其它	期刊：Optical Engineering 作者：Zhongqiu Xing; Aoxiang Zhang; Yipu Qu; Fang Wang; Muhammad Nawaz Sharif; et al 出版日期：2024-02-19
求助人	NJU_Chanwell 在 2025-05-17 10:32:42 发布自江苏，悬赏 20 积分
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