Vertical Inner Gate Transistors for 4F2 DRAM Cell

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标题	Vertical Inner Gate Transistors for 4F2 DRAM Cell
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/9014608/08986540.pdf?...
DOI	10.1109/ted.2020.2967392 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kyung Kyu Min; Sungmin Hwang; Jong-Ho Lee; Byung-Gook Park 出版日期：2020-02-08
求助人	时透在 2026-06-23 10:34:59 发布自湖北，悬赏 10 积分
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