| 标题 |
  Physics-based simulation of buffer-trapping effects on slow current transients and current collapse in GaN field effect transistors 相关领域
俘获
晶体管
电流（流体）
接受者
光电子学
瞬态（计算机编程）
撞击电离
场效应晶体管
凝聚态物理
材料科学
稳态（化学）
深能级瞬态光谱
电压
电离
物理
化学
硅
量子力学
生态学
计算机科学
热力学
生物
物理化学
离子
操作系统
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Kazushige Horio; Ken Yonemoto; Hiroki Takayanagi; Hiroyuki Nakano 出版日期：2005-12-15 |
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