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 Ferroelectricity in Sub‐3 nm HZO via a Thin Mo Layer: Interface Engineering for Scalable Memory 相关领域
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期刊：Physica Status Solidi (a) 作者：Yongsu Kim; Junghyeon Hwang; Chaeheon Kim; Geonhyeong Kang; Sanghun Jeon 出版日期：2025-11-23 |
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