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 A Novel 1200-V Class SiC MOSFET With Schottky Barrier Diode for Improved third quadrant performance 具有肖特基势垒二极管的新型1200V级SiC MOSFET可提高第三象限性能
相关领域
MOSFET
肖特基势垒
象限（腹部）
肖特基二极管
材料科学
光电子学
二极管
碳化硅
金属半导体结
电气工程
电子工程
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电压
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复合材料
医学
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期刊：2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON) 作者：Moufu Kong; Zhi Lin; Hongfei Deng; Bo Yi; Rui Jin; et al 出版日期：2023-10-24 |
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