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标题
Impact of Mole Fraction Variation on the Analog/RF Performance of Quaternary InAlGaN DG MOS-HEMTs
摩尔分数变化对四元InAlGaN DG MOS-HEMTs模拟/射频性能的影响
相关领域
跨导 截止频率 电容 铟 光电子学 摩尔分数 材料科学 振荡（细胞信号） 晶体管 高电子迁移率晶体管 分析化学（期刊） 化学 电气工程 电极 电压 生物化学 工程类 色谱法 物理化学
网址
https://doi.org/10.1007/s11664-022-09533-7
DOI
10.1007/s11664-022-09533-7 doi
其它 期刊：Journal of Electronic Materials
作者：Sushmita Ghosh; Gautam Bagla; Hrit Mukherjee; Mousiki Kar; Atanu Kundu
出版日期：2022-03-07
求助人
Mie 在 2025-12-09 13:28:03 发布自贵州，悬赏 10 积分
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