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 Design and Analysis of Recessed Double Gate Junctionless Field-Effect-Transistor Based Digital Standard Cells 基于凹进式双栅无结场效应晶体管的数字标准单元设计与分析
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期刊：Silicon 作者：Sandeep Kumar; Arun Chatterjee; Rishikesh Pandey 出版日期：2022-04-08 |
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