Impact of Polymetal Gate Etch Post-Cleaning on Data Retention Time in Sub-micron DRAM Cells

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标题	Impact of Polymetal Gate Etch Post-Cleaning on Data Retention Time in Sub-micron DRAM Cells 多金属栅极蚀刻后清洗对亚微米DRAM单元数据保留时间的影响相关领域德拉姆数据保留材料科学动态随机存取存储器光电子学蚀刻（微加工）栅氧化层 GSM演进的增强数据速率氧化物图层（电子）计算机科学计算机硬件电气工程纳米技术晶体管冶金工程类半导体存储器电压电信
网址	http://dx.doi.org/10.1143/jjap.41.2385
DOI	10.1143/jjap.41.2385 doi
求助人	May 在 2024-12-05 17:41:20 发布自福建，悬赏 10 积分
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