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 Single-Event Upset and Total Ionizing Dose Effects on DDR4 DRAM Due to Proton Irradiation Under Different Temperatures 相关领域
单事件翻转
电离辐射
心烦意乱
辐照
德拉姆
质子
吸收剂量
材料科学
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机械工程
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Minsang Ryu; Minki Suh; Jonghyeon Ha; Dabok Lee; Hojoon Lee; et al 出版日期：2025-08-05 |
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(2025-6-4)
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