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  Wide Bandgap SiC-Based Oxide Thickness Optimization by Computation and Simulation using Enhanced Electron Mobility with Regulated Gate Voltage Technique for High-Power 4H-SiC MOSFET 相关领域
材料科学
电子迁移率
光电子学
MOSFET
阈值电压
氧化物
栅氧化层
电压
宽禁带半导体
等效氧化层厚度
电子
晶体管
电气工程
物理
工程类
冶金
量子力学
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| 其它 |
期刊：Journal of Engineering and Technological Sciences 作者：Banu Poobalan; Nuralia Syahida Hashim; Manikandan Natarajan; Alhan Farhanah Abd Rahim 出版日期：2024-06-20 |
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