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 Scalability comparison between raised- and embedded-SiGe source/drain structures for Si 0.55 Ge 0.45 implant free quantum well pFET 相关领域
可扩展性
光电子学
材料科学
量子
计算机科学
物理
量子力学
操作系统
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：S. Yamaguchi; L. Witters; J. Mitard; G. Eneman; G. Hellings; et al 出版日期：2018-03-20 |
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