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标题
A Gate-All-Around inO Nanoribbon FET With Near 20 mA/m Drain Current
漏极电流接近20mA/m的全栅极inO纳米带场效应晶体管
相关领域
材料科学 光电子学 铟 栅氧化层 氧化物 半导体 电流（流体） 电介质 MOSFET 栅极电介质 砷化镓 图层（电子） 原子层沉积 纳米技术 电气工程 晶体管 电压 冶金 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/led.2022.3210005
AI链接 arxiv.org arxiv.orgdoi.org
DOI
10.1109/led.2022.3210005 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Zhuocheng Zhang; Zehao Lin; Pai-Ying Liao; Vahid Askarpour; Hongyi Dou; et al
出版日期：2022-09-26
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JPL3729 在 2025-08-04 20:27:21 发布，悬赏 10 积分
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