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标题
[高分] Impact of Gatelength on the Performance of InGaAs/InAs/InGaAs Composite Channel Dual Material Double Gate-High Electron Mobility Transistor Devices for High-Frequency Applications
相关领域
光电子学 材料科学 频道(广播) 晶体管 感应高电子迁移率晶体管 对偶(语法数字) 电子迁移率 高电子迁移率晶体管 电气工程 工程类 电压 文学类 艺术
网址
DOI
10.1166/jno.2017.2139 doi
其它 期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
作者:S Nagarajan; Reeba Korah; G. Maria Kalavathy
出版日期:2017-12-01
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走你 在 2025-10-17 16:03:14 发布自辽宁,悬赏 150 积分
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